IEC 63275-2:2022-05
Halbleiterbauelemente -
Zuverlässigkeits-Prüfverfahren für diskrete Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren Teil 2: Prüfverfahren für bipolare Degradation durch Body-Dioden-Betrieb
Halbleiterbauelemente -
Zuverlässigkeits-Prüfverfahren für diskrete Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren Teil 2: Prüfverfahren für bipolare Degradation durch Body-Dioden-Betrieb
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